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碳化硅（SiC）既是第三代半导体材料（用于功率与射频器件），也常作为半导体设备的关键结构材料（如刻蚀/热处理部件、光刻机工件台等）。其优势在于宽禁带、高导热、高击穿场强，适合高温、高压、高频与强辐照环境。

氧化铝（Al2O3）主要作为半导体设备用的高纯陶瓷部件与涂层（如刻蚀腔体衬里、静电吸盘、喷嘴、抛光板等），以及晶圆制程中的CMP抛光磨料，特点是高绝缘、耐等离子体、化学稳定、成本相对可控。

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